Għażla ta 'apparat MOSFET biex tikkunsidra l-aspetti kollha tal-fatturi, minn żgħar biex jagħżlu tip N jew tip P, tip ta' pakkett, kbar għal vultaġġ MOSFET, reżistenza fuq, eċċ., Ir-rekwiżiti ta 'applikazzjoni differenti jvarjaw.L-artikolu li ġej jiġbor fil-qosor l-għażla tal-apparat MOSFET tat-3 regoli ewlenin, nemmen li wara li taqra ser ikollok ħafna.
1. Enerġija MOSFET għażla pass wieħed: P-tubu, jew N-tubu?
Hemm żewġ tipi ta 'MOSFETs tal-qawwa: N-channel u P-channel, fil-proċess tad-disinn tas-sistema biex tagħżel l-N-tube jew P-tubu, għall-applikazzjoni attwali speċifika biex tagħżel, MOSFETs N-kanal biex jagħżlu l-mudell, prezz baxx;MOSFETs tal-kanal P biex jagħżlu l-mudell inqas, spiża għolja.
Jekk il-vultaġġ fil-konnessjoni S-pole tal-MOSFET tal-qawwa mhix l-art ta 'referenza tas-sistema, il-kanal N jeħtieġ drive tal-provvista tal-enerġija tal-art li jżomm f'wiċċ l-ilma, drive tat-transformer jew drive bootstrap, kumpless taċ-ċirkwit tas-sewqan;Il-kanal P jista 'jiġi misjuq direttament, issuq sempliċi.
Ħtieġa li tikkunsidra l-applikazzjonijiet tal-kanal N u l-kanal P huma prinċipalment
a.Kompjuters notebook, desktops u servers użati biex jagħtu l-CPU u fann li jkessaħ is-sistema, issuq bil-mutur tas-sistema ta 'tmigħ tal-printer, vacuum cleaners, purifikaturi ta' l-arja, fannijiet elettriċi u ċirkwit ieħor ta 'kontroll tal-mutur ta' apparat domestiku, dawn is-sistemi jużaw struttura ta 'ċirkwit full-bridge, kull driegħ tal-pont fuq it-tubu tista 'tuża P-tubu, tista' wkoll tuża N-tubu.
b.Sistema ta 'komunikazzjoni 48V sistema ta' input ta 'MOSFETs hot-plug imqiegħda fit-tarf għoli, tista' tuża P-tubi, tista 'wkoll tuża N-tubi.
c.Ċirkwit ta 'input tal-kompjuter notebook f'serje, jaqdi r-rwol ta' konnessjoni anti-reverse u jaqleb it-tagħbija żewġ MOSFETs ta 'qawwa dahar ma' dahar, l-użu ta 'N-kanal jeħtieġ li jikkontrolla l-pompa taċ-ċarġ tas-sewqan integrata interna taċ-ċippa, l-użu ta' P-channel jistgħu jiġu misjuqa direttament.
2. Għażla tat-tip ta 'pakkett
Qawwa tat-tip tal-kanal MOSFET biex tiddetermina t-tieni pass biex tiddetermina l-pakkett, il-prinċipji tal-għażla tal-pakkett huma.
a.Żieda fit-temperatura u disinn termali huma l-aktar rekwiżiti bażiċi għall-għażla tal-pakkett
Daqsijiet differenti tal-pakketti għandhom reżistenza termali differenti u dissipazzjoni tal-enerġija, minbarra li jikkunsidraw il-kundizzjonijiet termali tas-sistema u t-temperatura ambjentali, bħal jekk hemmx tkessiħ tal-arja, forma tas-sink tas-sħana u restrizzjonijiet ta 'daqs, kemm jekk l-ambjent huwiex magħluq u fatturi oħra, il-prinċipju bażiku huwa li tiġi żgurata ż-żieda fit-temperatura tal-MOSFET tal-qawwa u l-effiċjenza tas-sistema, il-premessa tal-għażla tal-parametri u l-pakkett MOSFET tal-qawwa aktar ġenerali.
Xi drabi minħabba kundizzjonijiet oħra, il-ħtieġa li jintużaw MOSFET multipli b'mod parallel biex issolvi l-problema tad-dissipazzjoni tas-sħana, bħal f'applikazzjonijiet PFC, kontrolluri tal-muturi tal-vetturi elettriċi, sistemi ta 'komunikazzjoni, bħall-applikazzjonijiet ta' rettifika sinkronika sekondarja tal-provvista tal-enerġija tal-modulu, huma magħżula f' parallel ma 'tubi multipli.
Jekk ma tistax tintuża konnessjoni parallela b'ħafna tubi, minbarra l-għażla ta 'MOSFET ta' qawwa b'rendiment aħjar, barra minn hekk, jista 'jintuża pakkett ta' daqs akbar jew tip ġdid ta 'pakkett, pereżempju, f'xi provvisti ta' enerġija AC/DC TO220 se jinbidel għal pakkett TO247;f'xi provvisti ta 'enerġija tas-sistema ta' komunikazzjoni, jintuża l-pakkett il-ġdid DFN8 * 8.
b.Limitazzjoni tad-daqs tas-sistema
Xi sistemi elettroniċi huma limitati mid-daqs tal-PCB u l-għoli tal-intern, bħall-provvista ta 'enerġija modulu ta' sistemi ta 'komunikazzjoni minħabba l-għoli tar-restrizzjonijiet normalment jużaw DFN5 * 6, DFN3 * 3 pakkett;f'xi provvista ta 'enerġija ACDC, l-użu ta' disinn ultra-rqiq jew minħabba l-limitazzjonijiet tal-qoxra, assemblaġġ TO220 pakkett qawwa MOSFET pins direttament fl-għerq, l-għoli tar-restrizzjonijiet ma jistgħux jużaw pakkett TO247.
Xi disinn ultra-rqiq direttament jgħawweġ il-labar tal-apparat ċatt, dan il-proċess ta 'produzzjoni tad-disinn se jsir kumpless.
Fid-disinn ta 'bord ta' protezzjoni tal-batterija tal-litju ta 'kapaċità kbira, minħabba r-restrizzjonijiet tad-daqs estremament ħarxa, ħafna issa jużaw pakkett CSP ta' livell ta 'ċippa biex itejbu l-prestazzjoni termali kemm jista' jkun, filwaqt li jiżguraw l-iżgħar daqs.
c.Kontroll tal-ispiża
Kmieni ħafna sistemi elettroniċi li jużaw pakkett plug-in, dawn is-snin minħabba żieda fl-ispejjeż tax-xogħol, ħafna kumpaniji bdew jaqilbu għal pakkett SMD, għalkemm l-ispiża tal-iwweldjar ta 'SMD minn plug-in għolja, iżda l-grad għoli ta' awtomazzjoni tal-iwweldjar SMD, il l-ispiża ġenerali xorta tista 'tiġi kkontrollata f'firxa raġonevoli.F'xi applikazzjonijiet bħal motherboards tad-desktop u bordijiet li huma estremament sensittivi għall-ispiża, il-MOSFETs tal-qawwa f'pakketti DPAK huma ġeneralment użati minħabba l-ispiża baxxa ta 'dan il-pakkett.
Għalhekk, fl-għażla tal-pakkett MOSFET tal-qawwa, biex jgħaqqdu l-istil tal-kumpanija tagħhom stess u l-karatteristiċi tal-prodott, b'kont meħud tal-fatturi ta 'hawn fuq.
3. Agħżel ir-reżistenza fuq l-istat RDSON, nota: mhux kurrenti
Ħafna drabi l-inġiniera huma mħassba dwar RDSON, minħabba li RDSON u t-telf tal-konduzzjoni huma direttament relatati, iktar ma tkun żgħira l-RDSON, iktar ikun żgħir it-telf tal-konduzzjoni tal-MOSFET tal-qawwa, iktar tkun għolja l-effiċjenza, inqas tkun iż-żieda fit-temperatura.
Bl-istess mod, inġiniera kemm jista 'jkun biex isegwu l-proġett preċedenti jew il-komponenti eżistenti fil-librerija tal-materjal, għall-RDSON tal-metodu ta' għażla reali m'għandux ħafna x'jikkunsidra.Meta ż-żieda fit-temperatura tal-MOSFET tal-qawwa magħżula tkun baxxa wisq, għal raġunijiet ta 'spejjeż, se taqleb għal komponenti akbar RDSON;meta ż-żieda fit-temperatura tal-MOSFET tal-qawwa hija għolja wisq, l-effiċjenza tas-sistema hija baxxa, se taqleb għal komponenti iżgħar RDSON, jew billi tottimizza ċ-ċirkwit tas-sewqan estern, ittejjeb il-mod biex taġġusta d-dissipazzjoni tas-sħana, eċċ.
Jekk huwa proġett ġdid fjamant, m'hemm l-ebda proġett preċedenti li jsegwi, allura kif tagħżel il-qawwa MOSFET RDSON? Hawnhekk huwa metodu biex tintroduċi lilek: metodu ta 'distribuzzjoni tal-konsum tal-enerġija.
Meta tiddisinja sistema ta 'provvista ta' enerġija, il-kundizzjonijiet magħrufa huma: firxa ta 'vultaġġ ta' input, vultaġġ ta 'ħruġ / kurrent tal-ħruġ, effiċjenza, frekwenza operattiva, vultaġġ tas-sewqan, ovvjament, hemm indikaturi tekniċi oħra u MOSFETs tal-qawwa relatati prinċipalment ma' dawn il-parametri.Il-passi huma kif ġej.
a.Skont il-firxa tal-vultaġġ tad-dħul, il-vultaġġ tal-ħruġ / il-kurrent tal-ħruġ, l-effiċjenza, ikkalkula t-telf massimu tas-sistema.
b.Telf spurju ta 'ċirkwit ta' enerġija, komponenti ta 'ċirkwit mhux ta' enerġija telf statiku, telf statiku IC u telf ta 'sewqan, biex tagħmel stima approssimattiva, il-valur empiriku jista' jammonta għal 10% sa 15% tat-telf totali.
Jekk iċ-ċirkwit tal-enerġija għandu resistor tal-kampjunar tal-kurrent, ikkalkula l-konsum tal-enerġija tar-reżistenza tal-kampjunar tal-kurrent.Telf totali nieqes dan it-telf hawn fuq, il-parti li jifdal hija l-apparat tal-enerġija, it-transformer jew it-telf tal-qawwa tal-inductor.
It-telf ta 'enerġija li jifdal se jiġi allokat lill-apparat ta' l-enerġija u t-transformer jew inductor f'ċertu proporzjon, u jekk m'intix ċert, id-distribuzzjoni medja bin-numru ta 'komponenti, sabiex ikollok it-telf ta' enerġija ta 'kull MOSFET.
c.It-telf ta 'enerġija tal-MOSFET huwa allokat għat-telf tal-iswiċċjar u t-telf tal-konduzzjoni f'ċertu proporzjon, u jekk ikun inċert, it-telf tal-bidla u t-telf tal-konduzzjoni huma allokati b'mod ugwali.
d.Mit-telf tal-konduzzjoni MOSFET u l-kurrent RMS li jiċċirkola, ikkalkula r-reżistenza massima tal-konduzzjoni permissibbli, din ir-reżistenza hija l-MOSFET fit-temperatura massima tal-junction operattiva RDSON.
Folja tad-dejta fil-qawwa MOSFET RDSON immarkata b'kundizzjonijiet tat-test definiti, f'kundizzjonijiet definiti differenti għandhom valuri differenti, it-temperatura tat-test: TJ = 25 ℃, RDSON għandha koeffiċjent ta 'temperatura pożittiva, għalhekk skond l-ogħla temperatura tal-junction operattiva tal-MOSFET u Koeffiċjent tat-temperatura RDSON, mill-valur ikkalkulat RDSON ta 'hawn fuq, biex tikseb ir-RDSON korrispondenti f'temperatura ta' 25 ℃.
e.RDSON minn 25 ℃ biex tagħżel it-tip xieraq ta 'qawwa MOSFET, skont il-parametri attwali tal-MOSFET RDSON, trim 'l isfel jew 'il fuq.
Permezz tal-passi ta 'hawn fuq, l-għażla preliminari tal-mudell MOSFET tal-qawwa u l-parametri RDSON.
Dan l-artikolu huwa estratt min-netwerk, jekk jogħġbok ikkuntattjana biex tħassar il-ksur, grazzi!
Zhejiang NeoDen Technology Co., Ltd. ilha timmanifattura u tesporta diversi magni żgħar pick and place mill-2010. Nieħdu vantaġġ mir-R&D b'esperjenza rikka tagħna stess, produzzjoni mħarrġa sew, NeoDen jirbaħ reputazzjoni kbira mill-klijenti mad-dinja kollha.
Bi preżenza globali f'aktar minn 130 pajjiż, il-prestazzjoni eċċellenti, l-eżattezza għolja u l-affidabbiltà tal-magni NeoDen PNP jagħmluhom perfetti għal R&D, prototipi professjonali u produzzjoni ta 'lott żgħir għal medju.Aħna nipprovdu soluzzjoni professjonali ta 'one stop tagħmir SMT.
Żid: No.18, Tianzihu Avenue, Tianzihu Town, Anji County, Huzhou City, Provinċja ta 'Zhejiang, iċ-Ċina
Telefon: 86-571-26266266
Ħin tal-post: Apr-19-2022